材料科學與工程學系黃彥霖助理教授研究團隊，成功突破自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）的關鍵材料限制，並將成果發表在《Nature Electronics》期刊

材料科學與工程學系黃彥霖助理教授領導的研究團隊，成功突破自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）的關鍵材料限制，若後續順利讓此高速低功耗記憶體商用化，未來將有助於大型語言模型（LLMs）與人工智慧運算、行動裝置（延長電池續航並提升資料安全性）及車用電子與資料中心（高可靠度與低能耗）。此成果已發表在《Nature Electronics》期刊上，展現出臺灣在新世代記憶體技術領域的創新實力。

相關報導：
1. 國科會: https://www.nstc.gov.tw/folksonomy/detail/ca3eb9a7-953f-4457-b414-360161141aa9?l=ch
2. 泛科學: https://www.youtube.com/watch?v=I-BE150O00c&t=709s
3. 中央社: https://www.cna.com.tw/news/ait/202509220214.aspx
4. 工商時報: https://www.ctee.com.tw/news/20250922701004-431401
5. 科技新報: https://technews.tw/2025/09/22/sot-mram-breakthrough/v
6. eeTaiwan: https://www.eettaiwan.com/20250923nt22-taiwan-team-speeds-up-low-power-memory-with-sot-mram-breakthrough/